現(xiàn)在，含氟蝕刻氣體是一把無(wú)形的“刀”，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體或LCD前段制程，甚至可以在微米厚的薄膜上刻出納米級(jí)的溝槽。你能腦補(bǔ)那個(gè)畫(huà)面嗎？

　　那么，含氟蝕刻氣體都有哪些？它們又是如何進(jìn)行工作的呢？

　　蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體， 通常多為氟化物氣體， 例如四氟化碳、全氟丁二烯、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。

　　含氟蝕刻氣體是電子氣體的一個(gè)重要分支，是超大規(guī)模集成電路、平面顯示器件、太陽(yáng)能電池，光纖等電子工業(yè)生產(chǎn)不可或缺的原材料，廣泛應(yīng)用于薄膜、蝕刻、摻雜、氣相沉積、擴(kuò)散等半導(dǎo)體工藝。在國(guó)家發(fā)展改革委《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2011年本)(修正)》中，電子氣體被列入國(guó)家重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)品和產(chǎn)業(yè)目錄。

　　蝕刻方式有濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。

　　干法蝕刻由于蝕刻方向性強(qiáng)、工藝控制精確、方便、無(wú)脫膠現(xiàn)象、無(wú)基片損傷和沾污， 所以其應(yīng)用范圍日益廣泛。

　　蝕刻就是把基片上無(wú)光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金屬膜等蝕刻掉， 而使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來(lái)， 這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是， 圖形邊緣整齊， 線條清晰， 圖形變換差小， 且對(duì)光刻膠膜及其掩蔽保護(hù)的表面無(wú)損傷和鉆蝕。

　　氣瓶?jī)?chǔ)存堆放有哪些注意事項(xiàng)呢？

　　在氣瓶使用過(guò)程中，任何操作步驟都不能疏忽。尤其是在氣瓶?jī)?chǔ)存的時(shí)候，更應(yīng)當(dāng)嚴(yán)守安全規(guī)范守則，細(xì)心檢查每個(gè)要點(diǎn)，具體的氣瓶?jī)?chǔ)存堆放有哪些注意事項(xiàng)呢？

　　1、氣瓶宜存儲(chǔ)在室外帶遮陽(yáng)、雨篷的場(chǎng)所。

　　2、存儲(chǔ)在室內(nèi)時(shí)，建筑物應(yīng)符合有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求。

　　3、氣瓶立式存放時(shí)應(yīng)有防倒裝置，臥放時(shí)要防止?jié)L動(dòng)，頭部朝向一方，堆放高度不得超過(guò)五層。

　　4、氣瓶存儲(chǔ)室不得設(shè)在地下室或半地下室，也不能和辦公室或休息室設(shè)在一起。

　　5、存儲(chǔ)場(chǎng)所應(yīng)通風(fēng)、干燥，防止雨(雪)淋、水浸、避免陽(yáng)光直射。

　　6、嚴(yán)禁明火和其他熱源，不得有地溝、暗道和底部通風(fēng)孔，并且嚴(yán)禁任何管線穿過(guò)。

　　7、存放氣瓶要防止陽(yáng)光直接曝曬以及其它高溫?zé)嵩吹妮椪占訜幔酒繋?kù)內(nèi)溫度應(yīng)保持在35℃以下，以免引起氣體膨脹的爆炸。

　　8、瓶庫(kù)內(nèi)不得存放易燃、可燃易爆物品，瓶庫(kù)周圍10米內(nèi)禁上堆放以上物品。

　　9、存儲(chǔ)可燃、爆炸性氣體氣瓶的庫(kù)房?jī)?nèi)照明設(shè)備必須防爆，電器開(kāi)關(guān)和熔斷器都應(yīng)設(shè)置在庫(kù)房外，同時(shí)應(yīng)設(shè)避雷裝置。

　　10、禁止將氣瓶放置到可能導(dǎo)電的地方。